The post 全球芯片爭(zhēng)奪戰(zhàn):半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重構(gòu)下的機(jī)遇與風(fēng)險(xiǎn) appeared first on 上海工品實(shí)業(yè)有限公司.
]]>目前全球高端光刻機(jī)產(chǎn)能約90%集中于單家企業(yè),先進(jìn)制程芯片制造70%以上產(chǎn)能分布在特定地區(qū)。這種單點(diǎn)脆弱性在疫情與貿(mào)易摩擦中暴露無(wú)遺。(來(lái)源:SEMI)
2020年車規(guī)級(jí)芯片短缺導(dǎo)致全球汽車減產(chǎn)超千萬(wàn)輛,印證了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的蝴蝶效應(yīng)。從晶圓、光刻膠到封裝測(cè)試,任一環(huán)節(jié)中斷都將引發(fā)產(chǎn)業(yè)震蕩。
多國(guó)通過《芯片法案》構(gòu)筑技術(shù)壁壘,限制EUV光刻系統(tǒng)等核心設(shè)備出口。14nm以下邏輯芯片制造設(shè)備面臨嚴(yán)格審查,倒逼國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程提速。(來(lái)源:波士頓咨詢)
在電源管理芯片、MCU控制器等領(lǐng)域,55nm-28nm成熟制程仍占據(jù)70%市場(chǎng)份額。本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃聚焦該領(lǐng)域,有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能替代。(來(lái)源:IC Insights)
碳化硅功率器件與氮化鎵射頻元件在新能源賽道需求激增。國(guó)內(nèi)企業(yè)在襯底材料制備環(huán)節(jié)取得突破,6英寸碳化硅晶圓良率提升至國(guó)際水平。(來(lái)源:Yole Development)
當(dāng)國(guó)內(nèi)攻克28nm制程時(shí),國(guó)際大廠已轉(zhuǎn)向2nm GAA晶體管架構(gòu)。研發(fā)投入差距可能造成新的代際鴻溝。
全球芯片人才缺口超200萬(wàn),核心工程師流動(dòng)加劇。國(guó)內(nèi)企業(yè)需構(gòu)建更有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)人才培養(yǎng)體系。
從EDA工具、IP核到檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),構(gòu)建完整半導(dǎo)體生態(tài)需十年周期。單點(diǎn)突破難以支撐系統(tǒng)創(chuàng)新。
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